سفارش تبلیغ
صبا ویژن
صفحه اصلی پیام‌رسان پارسی بلاگ پست الکترونیک درباره اوقات شرعی

89/12/19
9:52 ع

به در خواست چند تن از دوستان چکیده ای را در مورد اثر هال در وبلاگم قرار دادم.لطفا با نظرات خودتون منو همراهی کنید.

فایل متنی این پدیده فیزیکی که بصورت مقاله ی کوانتومی جمع اوری کرده بودم  رو از اینجا دانلود کنید.

اثر هال ( hall effect) اگر جریانی از یک بلور رسانا در جهت عمود بر میدان مغناطیسی یکنواخت (H) اعمال‌شده عبور کند، رسانا دارای اختلاف پتانسیل (ΔV) میان رخ‌های عمود بر جهت جریان و میدان مغناطیسی خواهد شد. این پدیده را به افتخار کاشف آن ادوین هال اثر هال می‌گویند.

 اندازه اختلاف پتانسیل بصورت:

V = \frac{IH}{Ned}

داده می‌شود. که N شمار حامل‌های جریان ، e بارالکتریکی و d فاصله میان دو رخی است که در طول آن پتانسیل پدید می‌آید.

کشف

اثر هال در سال 1897 به وسیله ادوین هربرت هال در حالی که داشت روی درجه? دکترای خود در دانشگاه جان هاپکینز در امریکا کار می‌کرد، کشف گردید. اندازه‌گیری تاثیرات ریز در ابزاری که با آن کار می‌کرد، یک شاهکار تجربی بود که ?? سال پیش از کشف الکترون رخ داد.

ضریب هال

ضریب هال، به صورت نسبت میدان الکتریکی القایی به حاصلضرب چگالی جریان و میدان‌مغناطیسی اعمالی تعرف می‌شود. این ضریب، یکی از خواص ماده‌ای است که هادی از آن ساخته شده، و مقدار آن به نوع، تعداد و ویژگی‌های حامل‌های باری که جریان را تشکیل می‌دهند، بستگی دارد.

تئوری

اثر هال نتیجه? طبیعت جریان عبوری از هادی است. جریان از حرکت تعداد زیادی حامل‌های بار تشکیل می‌شود که معمولاً الکترون‌ها، حفره‌ها یا ترکیبی از این دو هستند. حامل‌های بار هنگام حرکت در میدانی که بر مسیر حرکت آنها عمود است، نیرویی را تجربه می‌کنند، که نیروی لورنتز نامیده می‌شود. وقتی چنین میدان مغناطیسی‌ای حاضر نباشد، بارها تقریبا به صورت مستقیم حرکت می‌نمایند. اما وقتی یک میدان مغناطیسی عمود اعمال شود، مسیر آنها منحرف می‌شود و روی یکی سطوح ماده تجمع می‌کنند. نتیجه? این امر به جای ماندن بارهای مساوی اما با علامت مخالف در سطح دیگر خواهد بود، یعنی همان‌جایی که کمبود حامل بار وجود دارد. و بدین ترتیب یک توزیع نامتقارن از چگالی بار در سطح عنصر هال به وجود می‌آید که جهت آن عمود بر میدان مغناطیسی و جهت حرکت حامل‌های بار است. جدا شدن بارها یک میدان الکتریکی ایجاد می‌کند که با ادامه? مهاجرت بارها مخالفت خواهد کرد. بنابراین یک اختلاف پتانسیل ثابت تا زمانی که جریان ادامه داشته باشد به وجود خواهد آمد.

Hall-effect.png

برای یک فلز ساده که تنها یک نوع حامل بار (الکترون‌ها) در آن وجود دارد، ولتاژ هال (VH)، به صورت زیر بدست می‌آید:

V_H = \frac{-IB}{dne}

که در آن I جریان عبوری از طول صفحه، B چگالی شار مغناطیسی، d عمق صفحه، e بار الکتریکی الکترون و n چگالی حامل‌های بار الکتریکی است.

اثر هال به صورت زیر تعریف می‌شود:

R_H =\frac{E_y}{j_xB}

که در آن j چگالی جریان الکترون‌های حامل است. در سیستم اِس‌آی این فرمول به صورت زیر ساده می‌شود:

R_H =\frac{E_y}{j_xB}= \frac{dV_H}{IB}=-\frac{1}{ne}

بنابراین اثر هال به عنوان ابزاری که می‌توان به وسیله? آن یا چگالی حامل و یا میدان مغناطیسی را اندازه گرفت، بسیار سودمند است.

یک ویژگی بسیار مهم اثر هال این است که بین حامل‌های مثبت که یک جهت حرکت می‌کنند و حامل‌های منفی که در جهت دیگر حرکت می‌کنند، تفاوت می‌گذارد. اثر هال اولین برهان واقعی‌ای بود که اثبات می‌کرد جریان الکتریکی در فلزات به وسیله? الکترون‌های در حال حرکت ایجاد می‌شود و نه پروتون‌ها. همچنین اثر هال نشان داد که در برخی مواد، مخصوصا نیمه‌هادی‌های نوع پی، بهتر است جریان را به صورت حرکت حفره‌های الکتریکی در نظر بگیریم تا الکترون‌های در حال حرکت. یکی از عوامل مهم در پیچیدگی اثر هال این است که حفره‌هایی که در حال حرکت به سمت چپ هستند، در واقع الکترون‌های در حال حرکت به سمت راست می‌باشند، بنابراین ممکن است شخصی انتظار داشته باشد که ضریب هال برای الکترون‌ها و پروتون‌ها یکسان و هم علامت باشد. در هر صورت، رفع این پیچیدگی تنها به وسیله? نظریه? مکانیک کوانتومی مدرن درباره? جابجایی در جامدات ممکن است.

با این حال باید در نظر داشت که حتی اگر الکترودهای وَن دِر پا ایده‌آل تنظیم شوند، یک ناهمگن نمونه، ممکن است منجر شود علامت اثر هال نامعقول جلوه کند. برای مثال در یک نیمه? رسانا که مشخصا از نوع اِن بود، اثر هال به صورت مثبت مشاهده شد.

 اثر هال در نیمه‌هادی‌ها

هنگامی که یک نیمه‌رسانای حامل جریان در میدان مغناطیسی قرار گیرد، بر حامل‌های جریان نیمه‌رسانا نیرویی وارد می‌شود که جهت آن هم بر جهت جریان و هم بر جهت میدان مغناطیسی عمود است. پس از تعادل، ولتاژی در دو لبه‌های نیمه‌رسانا ایجاد می‌گردد.

فرمول ساده? ضریب هال که بالاتر تعریف شد، در نیمه‌رساناها پیچیده‌تر می‌شود، چراکه دو نوع حامل بار در آنها وجود دارد: الکترون‌ها و حفره‌ها، و هر کدام از آنها می‌توانند چگالی‌ها و قابلیت تحرک متفاوتی داشته باشند.

برای میدان‌های مغناطیسی معمولی، ضریب هال به صورت زیر است:

R_H=\frac{-n\mu_e^2+p\mu_h^2}{e(n\mu_e+p\mu_h)^2}

که در آن \, n چگالی الکترون‌ها، \, p چگالی حفره‌ها، \, \mu_e قابلیت تحرک الکترون‌ها، \, \mu_h قابلیت تحرک حفره‌ها و \, e مقدار مطلق بار الکتریکی است.

در میدان‌های قوی، عبارت ساده‌تری، معادل آنچه در گونه? تک‌حامل شاهد هستیم، وجود دارد.

R_H=\frac{(p-nb^2)}{e(p+nb)^2}

که در آن b=\frac{\mu_e}{\mu_h}

 است.


مشخصات مدیر وبلاگ
 
امیرحسن سالاروند[22]
 

هنوز خودمو کاملا نشناختم.....


لوگوی وبلاگ
 

عناوین یادداشتهای وبلاگ
خبر مایه
بایگانی
 
لینک‌های روزانه
 
صفحه‌های دیگر
دسته بندی موضوعی
 
لوگوی دوستان
 
دوستان
 
موسیقی


ترجمه از وردپرس به پارسی بلاگ توسط تیم پارسی بلاگ